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      NXP 恩智浦A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet

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      NXP 恩智浦A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet
      A3G23H500W17S 1 RF Device Data NXP Semiconductors RF Power GaN Transistor This 80 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed
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