奧地利微電子晶圓代工廠業務部推出一份更加全面的2008年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓(MPW)或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。

奧地利微電子的MPW服務包括基于TSMC(臺積電)μm CMOS工藝的全程μm尺寸工藝。兼容SiGe BiCMOS技術的CMOS有助于在一個ASIC中以高達10GHz的工作頻率及高密度數字元件實現RF電路設計。μm高壓CMOS工藝系列包括非常適用于電源管理產品和顯示驅動器的20V CMOS,以及為汽車和工業應用優化的50V CMOS工藝,能夠滿足客戶的高壓應用方案和產品需求。先進的嵌入了FLASH功能的高壓CMOS工藝豐富了奧地利微電子MPW服務內容。通過與IBM聯合開發,奧地利微電子首次在原型服務中提供了先進的μm高壓 CMOS技術H18 。H18工藝技術基于IBM業界公認的μm CMOS工藝CMOS7RF,非常適用于手機、PDA、便攜式媒體播放器以及其他移動設備中的智能電源管理IC。

2008年,奧地利微電子通過與CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS 和MOSIS等公司的長期持續性合作,將有150多個MPW啟動日期。

為了獲得MPW服務的優勢,奧地利微電子的代工客戶需要在特定日期提交其GDSII數據,可在較短的交貨時間內收到未經測試的封裝樣品或裸片,CMOS通常為8周, μm高壓CMOS、SiGe-BiCMOS和嵌入式FLASH工藝為10周。所有 μm MPW 均采用奧地利微電子位于奧地利的先進8英寸晶圓制造設備生產。

所有工藝技術均得到了HIT-Kit的支持。該套件是基于Cadence、Mentor Graphics或Agilent ADS設計環境的先進工藝設計套件,包含了全面的硅認證標準單元、外圍元件、通用模擬元件,如比較器、運算放大器、低功耗A/D和D/A轉換器。定制模擬和RF器件、Assura和Calibre物理驗證規則集,以及具有卓越特性的電路仿真模型,均有助于復雜的高性能混合信號集成電路設計的快速啟動。除了標準原型服務之外,奧地利微電子還提供模擬IP模塊、存儲器(RAM/ROM)生成服務和陶瓷或塑料封裝服務。